全球第2大NAND閃存廠東芝(Toshiba)6月28日宣布,攜手西部數(shù)據(jù)(Western Digital)旗下閃迪(SanDisk)研發(fā)出全球首款采用堆棧96層工藝技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品,且已完成試作、確認基本動作。
這一動作被視為搶了存儲器龍頭三星的風頭,韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實性,指稱東芝可能為了出售內(nèi)存部門,蓄意放出消息、操弄媒體。
該款堆棧96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB) ,相比目前64層堆棧的閃存使用的BiCS 3技術(shù),96層3D NAND閃存使用的是BiCS 4技術(shù)(3bit/cell,TLC),BiCS 4技術(shù)最大的意義不只是堆棧層數(shù)更多,西數(shù)提到96層3D NAND閃存不僅會有TLC類型的,還會支持QLC,也就是4bit MLC閃存。
預(yù)計在2017年下半年出樣給客戶,2018年開始量產(chǎn),主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能手機、平板和存儲卡等市場。
預(yù)計在2017年下半年出樣給客戶,2018年開始量產(chǎn),主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能手機、平板和存儲卡等市場。韓媒BusinessKorea 7月 3日報導(dǎo),東芝和西部數(shù)據(jù)為了東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation,TMC)出售案,搞到撕破臉互告。 韓國業(yè)界人士稱,東芝財務(wù)吃緊,被迫出售內(nèi)存求現(xiàn),避免因為資本減損下市,懷疑東芝是否有能力投入龐大資金、進行研發(fā)。
相關(guān)人士猜測,東芝發(fā)布96層3D NAND新聞稿,可能是想操縱媒體,炒熱內(nèi)存業(yè)務(wù)買氣。 此一消息可以突顯東芝半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢,有望抬高售價、加速出售腳步。 他們表示,東芝在這個時間點放出該新聞相當可疑。
報導(dǎo)稱,其實三星也已研發(fā)出96層3D NAND,但是考慮到產(chǎn)品越先進,量產(chǎn)越困難,因此未對外公布,要先等到全面量產(chǎn)再說。 文章力挺三星,指出就算堆棧層數(shù)相同,視各家公司技術(shù)和制造方法不同,表現(xiàn)仍有差異,因此堆棧層數(shù)變多,不能保證效能一定變好。
東芝目前已量產(chǎn)堆棧64層的3D NAND產(chǎn)品,而和64層產(chǎn)品相比,96層3D NAND每單位面積的存儲記憶容量擴大至約1.4倍,且每片晶圓所能生產(chǎn)的存儲容量增加、每bit成本也下滑。

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