全球第2大NAND閃存廠東芝(Toshiba)6月28日宣布，攜手西部數(shù)據(jù)（Western Digital）旗下閃迪（SanDisk）研發(fā)出全球首款采用堆棧96層工藝技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品，且已完成試作、確認基本動作。
這一動作被視為搶了存儲器龍頭三星的風頭，韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實性，指稱東芝可能為了出售內(nèi)存部門，蓄意放出消息、操弄媒體。
該款堆棧96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB) ，相比目前64層堆棧的閃存使用的BiCS 3技術(shù)，96層3D NAND閃存使用的是BiCS 4技術(shù)（3bit/cell，TLC），BiCS 4技術(shù)最大的意義不只是堆棧層數(shù)更多，西數(shù)提到96層3D NAND閃存不僅會有TLC類型的，還會支持QLC，也就是4bit MLC閃存。 
預(yù)計在2017年下半年出樣給客戶，2018年開始量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能手機、平板和存儲卡等市場。
預(yù)計在2017年下半年出樣給客戶，2018年開始量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能手機、平板和存儲卡等市場。韓媒BusinessKorea 7月 3日報導(dǎo)，東芝和西部數(shù)據(jù)為了東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation，TMC)出售案，搞到撕破臉互告。 韓國業(yè)界人士稱，東芝財務(wù)吃緊，被迫出售內(nèi)存求現(xiàn)，避免因為資本減損下市，懷疑東芝是否有能力投入龐大資金、進行研發(fā)。
相關(guān)人士猜測，東芝發(fā)布96層3D NAND新聞稿，可能是想操縱媒體，炒熱內(nèi)存業(yè)務(wù)買氣。 此一消息可以突顯東芝半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢，有望抬高售價、加速出售腳步。 他們表示，東芝在這個時間點放出該新聞相當可疑。
報導(dǎo)稱，其實三星也已研發(fā)出96層3D NAND，但是考慮到產(chǎn)品越先進，量產(chǎn)越困難，因此未對外公布，要先等到全面量產(chǎn)再說。 文章力挺三星，指出就算堆棧層數(shù)相同，視各家公司技術(shù)和制造方法不同，表現(xiàn)仍有差異，因此堆棧層數(shù)變多，不能保證效能一定變好。
東芝目前已量產(chǎn)堆棧64層的3D NAND產(chǎn)品，而和64層產(chǎn)品相比，96層3D NAND每單位面積的存儲記憶容量擴大至約1.4倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的存儲容量增加、每bit成本也下滑。
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